屏蔽层通过导电或导磁材料改变耦合路径（降低边沿速度可能增加器件开关损耗）

降低边沿速度可能增加器件开关损耗。扩频时钟通过分散能量降低部分频谱峰值。扩频处理不会消除设备全部电磁能量。铁氧体材料可用于抑制部分高频电流。近场探头能够帮助定位局部干扰源。线缆长度变化可能改变天线效应和辐射峰值。机壳接地需要考虑高频连接阻抗。长而细的接地导线可能具有明显寄生电感。

静电放电抗扰试验模拟部分静电接触事件。电快速瞬变试验模拟成串的快速脉冲扰动。浪涌试验模拟较高能量的瞬态电气事件。不同抗扰试验针对不同类型的威胁机制。瞬态抑制器通过快速钳位限制电压上升。保护器件布局会影响实际的钳位效果。高频旁路需要控制连接路径的寄生电感。开关边沿越快通常越容易产生高频成分。

回路面积增大可能增强磁场耦合影响。屏蔽层通过导电或导磁材料改变耦合路径。屏蔽效果取决于频率与结构完整程度。机壳缝隙可能成为高频能量泄漏通道。滤波器需要安装在适当的干扰边界位置。滤波前后走线靠近可能削弱隔离效果。共模扼流圈能够增加共模路径的阻抗。安规电容需要满足对应位置的绝缘要求。

接触表面氧化会影响屏蔽连接的连续性。电机换向可能产生宽频带电磁扰动。变频驱动的高频共模电流可能影响轴承。传感器电缆应避免与强干扰线路长距离并行。双绞线能够减小部分磁场耦合产生的影响。隔离接口有助于切断部分传导干扰路径。隔离屏障仍可能通过寄生电容传递高频扰动。电源完整性与电磁兼容设计存在紧密联系。