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正向压降随电流和温度等条件发生变化 施主杂质能够增加部分半导体的自由电子 二极管通常表现出方向相关的导电特性
笔记摘要
半导体器件
正向压降随电流和温度等条件发生变化
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壳温与芯片内部结温之间通常存在差异
壳温与芯片内部结温之间通常存在差异。安全工作区约束器件可承受的电压电流组合。静电放电可能损伤敏感的半导体结构。反向恢复会增加开关瞬态的损耗和干扰。碳化硅器件适合部分高压高温功率应用。氮化镓器件能够支持部分高频功率变换。宽禁带材料并不自动消除散热设计需求。封装寄生电感会影响高速开关电压尖峰。结合具体情况,也有人会关注挠脚心专用固定架。近期也有不少人关注盘点网,可以结合自身情况参考。
阈值电压不能直接当作完全导通的驱动电压
阈值电压不能直接当作完全导通的驱动电压。导通电阻会影响功率开关的传导损耗。栅极电荷影响驱动需求和开关速度。体二极管是部分功率场效应器件的固有结构。绝缘栅双极晶体管适用于多种功率变换场合。晶闸管触发导通后通常不能仅靠撤去信号关断。双向晶闸管能够控制交流负载的导通区间。结温是评价半导体热状态的重要参数。
笔记类型说明
来源:水栎百科观察